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Транзистор польовий N-канал IRFIB6N60A

Produktcode: 220002
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFIB6N60A Hersteller : Vishay sihfib6n.pdf N-MOSFET 600V 5.5A 60W IRFIB6N60A Vishay TIRFIB6n60a
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IRFIB6N60A IRFIB6N60A Hersteller : Vishay Siliconix sihfib6n.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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IRFIB6N60A IRFIB6N60A Hersteller : Vishay / Siliconix sihfib6n.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFIB6N60APBF
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