
APT10026L2FLLG Microchip Technology
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Technische Details APT10026L2FLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 38A; Idm: 152A; 893W; TO264MAX, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 7®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 38A, Pulsed drain current: 152A, Power dissipation: 893W, Case: TO264MAX, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.26Ω, Mounting: THT, Gate charge: 267nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT10026L2FLLG | Hersteller : Microchip Technology |
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APT10026L2FLLG | Hersteller : Microchip Technology |
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APT10026L2FLLG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 38A; Idm: 152A; 893W; TO264MAX Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 38A Pulsed drain current: 152A Power dissipation: 893W Case: TO264MAX Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 267nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT10026L2FLLG | Hersteller : MICROSEMI |
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APT10026L2FLLG | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 19A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Supplier Device Package: 264 MAX™ [L2] Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7114 pF @ 25 V |
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APT10026L2FLLG | Hersteller : Microchip Technology |
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APT10026L2FLLG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 38A; Idm: 152A; 893W; TO264MAX Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 38A Pulsed drain current: 152A Power dissipation: 893W Case: TO264MAX Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 267nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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