APT10035JLL Microchip Technology
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Technische Details APT10035JLL Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: ISOTOP®, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5185 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote APT10035JLL nach Preis ab 68.31 EUR bis 89.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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APT10035JLL | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 25A 4-Pin SOT-227 Tube |
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APT10035JLL | Hersteller : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 1000V, 0.35_OHM, SOT-227 |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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APT10035JLL Produktcode: 117751
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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APT10035JLL | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 1KV 25A 4-Pin SOT-227 Tube |
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| APT10035JLL | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT10035JLL Transistor modules MOSFET |
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| APT10035JLL | Hersteller : MICROSEMI |
ISOTOP/POWER MOSFET - MOS7 APT10035 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT10035JLL | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5185 pF @ 25 V |
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