APT10090BLLG Microchip Technology
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 28.12 EUR |
| 100+ | 24.29 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details APT10090BLLG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 298W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote APT10090BLLG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT10090BLLG | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
APT10090BLLG | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| APT10090BLLG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT10090BLLG THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| APT10090BLLG | Hersteller : MICROSEMI |
TO247/POWER MOSFET - MOS7 APT10090 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
APT10090BLLG | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |