APT100GT120JR Microchip Technology
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Technische Details APT100GT120JR Microchip Technology
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: single transistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 67A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 200A, Technology: NPT; Thunderblot IGBT®, Mechanical mounting: screw, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| APT100GT120JR | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 67A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Technology: NPT; Thunderblot IGBT® Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APT100GT120JR | Hersteller : Microchip Technology |
 IGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227 |
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| APT100GT120JR | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 67A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Technology: NPT; Thunderblot IGBT® Mechanical mounting: screw |
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