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APT100GT120JR

APT100GT120JR Microchip Technology


apt100gt120jr_b.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 123A
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Technische Details APT100GT120JR Microchip Technology

Description: IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 123 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 570 W, Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.7 nF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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APT100GT120JR Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 123463-apt100gt120jr-b-pdf.pdf APT100GT120JR IGBT modules
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APT100GT120JR APT100GT120JR Hersteller : Microchip Technology 123463-apt100gt120jr-b-pdf.pdf Description: IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 123 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 570 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.7 nF @ 25 V
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APT100GT120JR Hersteller : Microchip Technology APT100GT120JR_B-1592288.pdf IGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227
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