APT102GA60B2 MICROCHIP TECHNOLOGY
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 102A; 780W; T-Max
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 102A
Pulsed collector current: 307A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 389ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 780W
Kind of package: tube
Gate charge: 294nC
Technology: POWER MOS 8®; PT
Mounting: THT
Case: T-Max
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details APT102GA60B2 MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 102A; 780W; T-Max, Collector-emitter voltage: 600V, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 102A, Pulsed collector current: 307A, Turn-on time: 64ns, Turn-off time: 389ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 780W, Kind of package: tube, Gate charge: 294nC, Technology: POWER MOS 8®; PT, Mounting: THT, Case: T-Max, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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APT102GA60B2 | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: IGBT 600V 183A 780W TO247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT102GA60B2 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 102A; 780W; T-Max Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 102A Pulsed collector current: 307A Turn-on time: 64ns Turn-off time: 389ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 780W Kind of package: tube Gate charge: 294nC Technology: POWER MOS 8®; PT Mounting: THT Case: T-Max |
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