APT102GA60L Microsemi
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Technische Details APT102GA60L Microsemi
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 102A; 780W; TO264, Collector-emitter voltage: 600V, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 102A, Pulsed collector current: 307A, Turn-on time: 65ns, Turn-off time: 313ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 780W, Kind of package: tube, Gate charge: 294nC, Technology: POWER MOS 8®, Mounting: THT, Case: TO264, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT102GA60L
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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APT102GA60L | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 102A; 780W; TO264 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 102A Pulsed collector current: 307A Turn-on time: 65ns Turn-off time: 313ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 780W Kind of package: tube Gate charge: 294nC Technology: POWER MOS 8® Mounting: THT Case: TO264 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT102GA60L | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT 600V 183A 780W TO264 |
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APT102GA60L | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 102A; 780W; TO264 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 102A Pulsed collector current: 307A Turn-on time: 65ns Turn-off time: 313ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 780W Kind of package: tube Gate charge: 294nC Technology: POWER MOS 8® Mounting: THT Case: TO264 |
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