APT10M11JVRU2 Microchip Technology
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Technische Details APT10M11JVRU2 Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W, Technology: POWER MOS 5®, Case: ISOTOP, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: screw, Semiconductor structure: diode/transistor, On-state resistance: 11mΩ, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Topology: boost chopper, Drain current: 106A, Gate-source voltage: ±30V, Drain-source voltage: 100V, Pulsed drain current: 576A, Power dissipation: 450W.
Weitere Produktangebote APT10M11JVRU2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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APT10M11JVRU2 | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 100V 142A 4-Pin SOT-227 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT10M11JVRU2 | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT10M11JVRU2 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W Technology: POWER MOS 5® Case: ISOTOP Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Semiconductor structure: diode/transistor On-state resistance: 11mΩ Type of semiconductor module: MOSFET transistor Topology: boost chopper Drain current: 106A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 576A Power dissipation: 450W |
Produkt ist nicht verfügbar |