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APT11N80KC3G

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High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
Produktcode: 18385
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Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
APT11N80KC3G MICROSEMI High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf TO-220AB/11 A, 800 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT11N80
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT11N80KC3G APT11N80KC3G Microsemi Corporation High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: TO-220 [K]
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 25 V
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Hersteller: MICROSEMI
TO-220AB/11 A, 800 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT11N80
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APT11N80KC3G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: TO-220 [K]
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 25 V
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