APT1201R4BFLLG MICROCHIP TECHNOLOGY
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
Case: TO247
On-state resistance: 1.5Ω
Power dissipation: 300W
Technology: POWER MOS 7®
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details APT1201R4BFLLG MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 9A, Case: TO247, On-state resistance: 1.5Ω, Power dissipation: 300W, Technology: POWER MOS 7®, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, Mounting: THT, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar, Gate charge: 75nC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT1201R4BFLLG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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APT1201R4BFLLG | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT1201R4BFLLG | Hersteller : Microchip / Microsemi |
MOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-247, RoHS |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT1201R4BFLLG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 9A Case: TO247 On-state resistance: 1.5Ω Power dissipation: 300W Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 75nC |
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