APT1201R4BFLLG Microsemi Corporation
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Technische Details APT1201R4BFLLG Microsemi Corporation
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 9A, Case: TO247, On-state resistance: 1.5Ω, Power dissipation: 300W, Technology: POWER MOS 7®, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, Mounting: THT, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar, Gate charge: 75nC.
Weitere Produktangebote APT1201R4BFLLG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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APT1201R4BFLLG | Hersteller : Microchip / Microsemi |
 MOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-247, RoHS |
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APT1201R4BFLLG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 9A Case: TO247 On-state resistance: 1.5Ω Power dissipation: 300W Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 75nC |
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