APT1201R6BVFRG Microchip / Microsemi
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Technische Details APT1201R6BVFRG Microchip / Microsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 8A, Case: TO247-3, On-state resistance: 1.6Ω, Pulsed drain current: 32A, Power dissipation: 280W, Technology: POWER MOS 5®, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, Mounting: THT, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar, Gate charge: 230nC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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APT1201R6BVFRG Produktcode: 171513
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 Transistoren > MOSFET N-CH |
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APT1201R6BVFRG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A Case: TO247-3 On-state resistance: 1.6Ω Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 280W Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 230nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT1201R6BVFRG | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1200V 8A TO247 |
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APT1201R6BVFRG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 32A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A Case: TO247-3 On-state resistance: 1.6Ω Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 280W Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 230nC |
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