
APT1204R7SFLLG Microchip Technology
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Technische Details APT1204R7SFLLG Microchip Technology
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 14A; 135W; D3PAK, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 3.5A, Case: D3PAK, On-state resistance: 4.7Ω, Pulsed drain current: 14A, Power dissipation: 135W, Technology: POWER MOS 7®, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar, Gate charge: 31nC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT1204R7SFLLG | Hersteller : Microchip Technology |
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APT1204R7SFLLG | Hersteller : Microchip Technology |
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APT1204R7SFLLG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 14A; 135W; D3PAK Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3.5A Case: D3PAK On-state resistance: 4.7Ω Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 135W Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 31nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT1204R7SFLLG | Hersteller : MICROSEMI |
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APT1204R7SFLLG | Hersteller : Microchip Technology |
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APT1204R7SFLLG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3.5A; Idm: 14A; 135W; D3PAK Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3.5A Case: D3PAK On-state resistance: 4.7Ω Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 135W Technology: POWER MOS 7® Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 31nC |
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