
APT12060LVFRG Microchip Technology
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Technische Details APT12060LVFRG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 80A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 20A, Case: TO264, On-state resistance: 0.6Ω, Pulsed drain current: 80A, Power dissipation: 625W, Technology: POWER MOS 5®, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, Mounting: THT, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar, Gate charge: 650nC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT12060LVFRG
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT12060LVFRG | Hersteller : Microchip Technology |
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APT12060LVFRG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 80A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 20A Case: TO264 On-state resistance: 0.6Ω Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 625W Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 650nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT12060LVFRG | Hersteller : MICROSEMI |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
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APT12060LVFRG | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-264 [L] Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 25 V |
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APT12060LVFRG | Hersteller : Microchip Technology |
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APT12060LVFRG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 20A; Idm: 80A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 20A Case: TO264 On-state resistance: 0.6Ω Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 625W Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 650nC |
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