APT150GT120JR Microchip Technology
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Technische Details APT150GT120JR Microchip Technology
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 90A; SOT227B, Type of semiconductor module: IGBT, Case: SOT227B, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 90A, Pulsed collector current: 450A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Kind of package: tube, Technology: NPT; Thunderblot IGBT®, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: screw, Semiconductor structure: single transistor.
Weitere Produktangebote APT150GT120JR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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APT150GT120JR | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: IGBT MOD 1200V 170A 830W ISOTOP |
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APT150GT120JR | Hersteller : Microchip Technology |
IGBT Modules IGBT NPT Medium Frequency Single 1200 V 150 A SOT-227 |
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| APT150GT120JR | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 90A; SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 90A Pulsed collector current: 450A Max. off-state voltage: 1.2kV Kind of package: tube Technology: NPT; Thunderblot IGBT® Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor |
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