APT17F80B Microsemi Power Products Group
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Technische Details APT17F80B Microsemi Power Products Group
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 70A; 500W; TO247-3, Mounting: THT, Case: TO247-3, Power dissipation: 500W, Technology: POWER MOS 8®, Pulsed drain current: 70A, Gate charge: 122nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 11A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 800V, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 0.58Ω, Gate-source voltage: ±30V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT17F80B | Hersteller : Microsemi |
 MOSFET Power FREDFET - MOS8 |
auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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APT17F80B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 70A; 500W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 500W Technology: POWER MOS 8® Pulsed drain current: 70A Gate charge: 122nC Polarisation: unipolar Drain current: 11A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.58Ω Gate-source voltage: ±30V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT17F80B | Hersteller : MICROSEMI |
TO247-3/18 A, 800 V, 0.58 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT17F80 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT17F80B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 70A; 500W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 500W Technology: POWER MOS 8® Pulsed drain current: 70A Gate charge: 122nC Polarisation: unipolar Drain current: 11A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.58Ω Gate-source voltage: ±30V |
Produkt ist nicht verfügbar |