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Technische Details APT18F60B Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 65A; 335W; TO247-3, Mounting: THT, Power dissipation: 335W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 90nC, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 65A, Case: TO247-3, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 12A, On-state resistance: 370mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT18F60B
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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APT18F60B | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 65A; 335W; TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 335W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 90nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 65A Case: TO247-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A On-state resistance: 370mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APT18F60B | Hersteller : MICROSEMI |
TO247/POWER FREDFET - MOS8 APT18F60 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT18F60B | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 |
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APT18F60B | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 65A; 335W; TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 335W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 90nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 65A Case: TO247-3 Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A On-state resistance: 370mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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