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Technische Details APT18F60B Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 65A; 335W; TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 8®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 12A, Pulsed drain current: 65A, Power dissipation: 335W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 370mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 90nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT18F60B
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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APT18F60B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 65A; 335W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 335W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 370mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APT18F60B | Hersteller : MICROSEMI |
TO247/POWER FREDFET - MOS8 APT18F60 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT18F60B | Hersteller : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 |
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APT18F60B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 65A; 335W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 335W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 370mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of channel: enhanced |
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