APT200GN60JDQ4 Microchip Technology
Hersteller: Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 200 A SOT-227
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Technische Details APT200GN60JDQ4 Microchip Technology
Description: IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 283 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 682 W, Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14.1 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote APT200GN60JDQ4 nach Preis ab 80.29 EUR bis 80.29 EUR
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APT200GN60JDQ4 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 283 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 682 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14.1 nF @ 25 V |
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APT200GN60JDQ4 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 600V 283A 682000mW |
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APT200GN60JDQ4 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 600V 283A 682000mW |
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APT200GN60JDQ4 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 600V 283A 682000mW |
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| APT200GN60JDQ4 | Hersteller : MICROSEMI |
ISOTOP/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COMBI APT200GN60 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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