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Technische Details APT24F50B Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; Idm: 82A; 335W; TO247-3, Mounting: THT, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 15A, On-state resistance: 240mΩ, Gate charge: 90nC, Case: TO247-3, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhanced, Technology: POWER MOS 8®, Power dissipation: 335W, Pulsed drain current: 82A, Gate-source voltage: ±30V, Type of transistor: N-MOSFET.
Weitere Produktangebote APT24F50B
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT24F50B | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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APT24F50B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; Idm: 82A; 335W; TO247-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 500V Drain current: 15A On-state resistance: 240mΩ Gate charge: 90nC Case: TO247-3 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: POWER MOS 8® Power dissipation: 335W Pulsed drain current: 82A Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET |
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| APT24F50B | Hersteller : MICROSEMI |
TO247/24 A, 500 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT24F50 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT24F50B | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO247 |
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APT24F50B | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; Idm: 82A; 335W; TO247-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 500V Drain current: 15A On-state resistance: 240mΩ Gate charge: 90nC Case: TO247-3 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: POWER MOS 8® Power dissipation: 335W Pulsed drain current: 82A Gate-source voltage: ±30V Type of transistor: N-MOSFET |
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