APT25GN120B2DQ2G Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: IGBT 1200V 67A 272W TMAX
Power - Max: 272 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Gate Charge: 155 nC
Test Condition: 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Switching Energy: 2.15µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/280ns
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
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Technische Details APT25GN120B2DQ2G Microchip Technology
Description: IGBT 1200V 67A 272W TMAX, Power - Max: 272 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 67 A, Gate Charge: 155 nC, Test Condition: 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V, Switching Energy: 2.15µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 22ns/280ns, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3 Variant, Packaging: Tube.
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