Technische Details APT25GN120BG Microchip
Description: IGBT 1200V 67A 272W TO247, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Power - Max: 272 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 67 A, Gate Charge: 155 nC, Test Condition: 800V, 25A, 1Ohm, 15V, Switching Energy: 2.15µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 22ns/280ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247 [B], Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).
Weitere Produktangebote APT25GN120BG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| APT25GN120BG | MICROSEMI |
 TO-247 [B]INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - SINGLE APT25GN120Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
APT25GN120BG | Microchip Technology |
Description: IGBT 1200V 67A 272W TO247 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Power - Max: 272 W Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 67 A Gate Charge: 155 nC Test Condition: 800V, 25A, 1Ohm, 15V Switching Energy: 2.15µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 22ns/280ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-247 [B] Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 90 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| APT25GN120BG | Microchip Technology |
IGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| APT25GN120BG |
|
Hersteller: MICROSEMI
TO-247 [B]INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - SINGLE APT25GN120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
TO-247 [B]INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - SINGLE APT25GN120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| APT25GN120BG |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: IGBT 1200V 67A 272W TO247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 272 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Gate Charge: 155 nC
Test Condition: 800V, 25A, 1Ohm, 15V
Switching Energy: 2.15µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/280ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Description: IGBT 1200V 67A 272W TO247
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 272 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Gate Charge: 155 nC
Test Condition: 800V, 25A, 1Ohm, 15V
Switching Energy: 2.15µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/280ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| APT25GN120BG |
|
Hersteller: Microchip Technology
IGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS
IGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH