APT25GP120BDQ1G Microchip Technology
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Technische Details APT25GP120BDQ1G Microchip Technology
Description: IGBT 1200V 69A 417W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/70ns, Switching Energy: 500µJ (on), 440µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 110 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 69 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 417 W.
Weitere Produktangebote APT25GP120BDQ1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| APT25GP120BDQ1G | MICROSEMI |
 TO-247/POWER MOS 7 IGBT APT25GP120Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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APT25GP120BDQ1G | Microchip Technology |
Description: IGBT 1200V 69A 417W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 12ns/70ns Switching Energy: 500µJ (on), 440µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 110 nC Current - Collector (Ic) (Max): 69 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 417 W |
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APT25GP120BDQ1G | Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 69A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| APT25GP120BDQ1G |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: IGBT 1200V 69A 417W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/70ns
Switching Energy: 500µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 69 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 417 W
Description: IGBT 1200V 69A 417W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/70ns
Switching Energy: 500µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 69 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 417 W
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| APT25GP120BDQ1G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 69A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 69A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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