APT25GP120BDQ1G Microchip Technology
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Technische Details APT25GP120BDQ1G Microchip Technology
Description: IGBT 1200V 69A 417W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/70ns, Switching Energy: 500µJ (on), 440µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 110 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 69 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 417 W.
Weitere Produktangebote APT25GP120BDQ1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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APT25GP120BDQ1G | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 69A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| APT25GP120BDQ1G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT25GP120BDQ1G THT IGBT transistors |
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| APT25GP120BDQ1G | Hersteller : MICROSEMI |
TO-247/POWER MOS 7 IGBT APT25GP120 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT25GP120BDQ1G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT 1200V 69A 417W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 12ns/70ns Switching Energy: 500µJ (on), 440µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 110 nC Current - Collector (Ic) (Max): 69 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 417 W |
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APT25GP120BDQ1G | Hersteller : Microchip Technology |
IGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS |
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