Technische Details APT33GF120LRDQ2G Microchip Technology
Description: IGBT 1200V 64A 357W TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-264 [L], IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 14ns/185ns, Switching Energy: 1.315mJ (on), 1.515mJ (off), Test Condition: 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 170 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 64 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 357 W.
Weitere Produktangebote APT33GF120LRDQ2G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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APT33GF120LRDQ2G | Microchip Technology |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| APT33GF120LRDQ2G | MICROSEMI |
TO264-3/high voltage power IGBTs APT33GF120 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| APT33GF120LRDQ2G |
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Hersteller: Microchip Technology
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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| APT33GF120LRDQ2G |
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