APT34F100L Microchip Technology
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Technische Details APT34F100L Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 140A; 1135W; TO264, Mounting: THT, On-state resistance: 0.38Ω, Drain current: 21A, Power dissipation: 1135W, Drain-source voltage: 1kV, Pulsed drain current: 140A, Case: TO264, Kind of channel: enhancement, Technology: POWER MOS 8®, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Gate-source voltage: ±30V, Gate charge: 305nC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote APT34F100L
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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APT34F100L | Hersteller : Microsemi Power Products Group |
 Description: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264 |
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APT34F100L | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 140A; 1135W; TO264 Mounting: THT On-state resistance: 0.38Ω Drain current: 21A Power dissipation: 1135W Drain-source voltage: 1kV Pulsed drain current: 140A Case: TO264 Kind of channel: enhancement Technology: POWER MOS 8® Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±30V Gate charge: 305nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APT34F100L | Hersteller : MICROSEMI |
TO264-3/35 A, 1000 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT34F100 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT34F100L | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 140A; 1135W; TO264 Mounting: THT On-state resistance: 0.38Ω Drain current: 21A Power dissipation: 1135W Drain-source voltage: 1kV Pulsed drain current: 140A Case: TO264 Kind of channel: enhancement Technology: POWER MOS 8® Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±30V Gate charge: 305nC |
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