Technische Details APT35GA90B Microchip Technology
Description: IGBT 900V 63A 290W TO-247, Power - Max: 290 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector (Ic) (Max): 63 A, Part Status: Active, Gate Charge: 84 nC, Test Condition: 600V, 18A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 642µJ (on), 382µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 12ns/104ns, IGBT Type: PT, Supplier Device Package: TO-247 [B], Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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| APT35GA90B | Microsemi |
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auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| APT35GA90B |
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Hersteller: Microsemi
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