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APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G Microchip Technology

APT35GN120L2DQ2_G__B-1855477.pdf Hersteller: Microchip Technology
IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-264 MAX, RoHS
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Technische Details APT35GN120L2DQ2G Microchip Technology

Description: IGBT 1200V 94A 379W TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/300ns, Switching Energy: 2.315mJ (off), Test Condition: 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V, Gate Charge: 220 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 94 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A, Power - Max: 379 W.

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APT35GN120L2DQ2G APT35GN120L2DQ2G Hersteller : Microchip Technology 6245-apt35gn120l2dq2g-datasheet Description: IGBT 1200V 94A 379W TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/300ns
Switching Energy: 2.315mJ (off)
Test Condition: 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 94 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 379 W
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APT35GN120L2DQ2G APT35GN120L2DQ2G Hersteller : Microchip Technology / Atmel APT35GN120L2DQ2_G__B-1855477.pdf IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-264 MAX, RoHS
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APT35GN120L2DQ2G APT35GN120L2DQ2G Hersteller : Microchip Technology 10206245-apt35gn120l2dq2-g-b-pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 94A 379mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube
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APT35GN120L2DQ2G APT35GN120L2DQ2G Hersteller : Microchip Technology 10206245-apt35gn120l2dq2-g-b-pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 94A 379W 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX Tube
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