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APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G Microchip Technology

6246-apt35gp120b2dq2g-datasheet Hersteller: Microchip Technology
Description: IGBT PT 1200V 96A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/95ns
Switching Energy: 750µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 600V, 35A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 543 W
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Technische Details APT35GP120B2DQ2G Microchip Technology

Description: IGBT PT 1200V 96A, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/95ns, Switching Energy: 750µJ (on), 680µJ (off), Test Condition: 600V, 35A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 150 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 96 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A, Power - Max: 543 W.

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APT35GP120B2DQ2G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 6246-apt35gp120b2dq2g-datasheet APT35GP120B2DQ2G THT IGBT transistors
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APT35GP120B2DQ2G APT35GP120B2DQ2G Hersteller : Microchip Technology 35gp120b2dq2_a.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 96A 543000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
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APT35GP120B2DQ2G APT35GP120B2DQ2G Hersteller : Microchip Technology 35gp120b2dq2_a.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 96A 543W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
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APT35GP120B2DQ2G Hersteller : MICROSEMI 6246-apt35gp120b2dq2g-datasheet T-MAX/96 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT APT35GP120
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APT35GP120B2DQ2G APT35GP120B2DQ2G Hersteller : Microchip Technology APT35GP120B2DQ2_G__A-1593750.pdf IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS
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