APT35GP120B2DQ2G Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: IGBT PT 1200V 96A
Power - Max: 543 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Part Status: Active
Gate Charge: 150 nC
Test Condition: 600V, 35A, 4.3Ohm, 15V
Switching Energy: 750µJ (on), 680µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/95ns
IGBT Type: PT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details APT35GP120B2DQ2G Microchip Technology
Description: IGBT PT 1200V 96A, Power - Max: 543 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 96 A, Part Status: Active, Gate Charge: 150 nC, Test Condition: 600V, 35A, 4.3Ohm, 15V, Switching Energy: 750µJ (on), 680µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 16ns/95ns, IGBT Type: PT, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3 Variant, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote APT35GP120B2DQ2G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| APT35GP120B2DQ2G | MICROSEMI |
T-MAX/96 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT APT35GP120 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
APT35GP120B2DQ2G | Microchip Technology |
IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| APT35GP120B2DQ2G |
|
Hersteller: Microchip Technology
IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS
IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH