APT40GP60B2DQ2G Microchip Technology
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 21.91 EUR |
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Technische Details APT40GP60B2DQ2G Microchip Technology
Description: IGBT PT 600V 100A, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/64ns, Switching Energy: 385µJ (on), 350µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 135 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 543 W.
Weitere Produktangebote APT40GP60B2DQ2G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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APT40GP60B2DQ2G | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 543000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APT40GP60B2DQ2G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT40GP60B2DQ2G THT IGBT transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT40GP60B2DQ2G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT PT 600V 100A Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 20ns/64ns Switching Energy: 385µJ (on), 350µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 135 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 543 W |
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