APT47F60J

APT47F60J Microchip / Microsemi


APT47F60J_C-1593806.pdf Hersteller: Microchip / Microsemi
MOSFET FG, FREDFET, 600V, SOT-227
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Technische Details APT47F60J Microchip / Microsemi

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 600V; 31A; ISOTOP; screw; Idm: 245A; 540W, Technology: POWER MOS 8®, Case: ISOTOP, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement, Semiconductor structure: single transistor, On-state resistance: 90mΩ, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Drain current: 31A, Gate-source voltage: ±30V, Drain-source voltage: 600V, Pulsed drain current: 245A, Power dissipation: 540W, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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APT47F60J APT47F60J Hersteller : Microchip Technology 7909887832478997058-apt47f60j-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 49A 4-Pin SOT-227 Tube
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APT47F60J Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 7058-apt47f60j-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 31A; ISOTOP; screw; Idm: 245A; 540W
Technology: POWER MOS 8®
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 90mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain current: 31A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 540W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT47F60J APT47F60J Hersteller : Microchip Technology 7058-apt47f60j-datasheet Description: MOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP
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APT47F60J Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY 7058-apt47f60j-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 31A; ISOTOP; screw; Idm: 245A; 540W
Technology: POWER MOS 8®
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 90mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain current: 31A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 540W
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