APT50GR120JD30 Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 84 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 417 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.55 nF @ 25 V
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Technische Details APT50GR120JD30 Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 84 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 417 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.55 nF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| APT50GR120JD30 | Microchip Technology |
IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 50 A SOT-227 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| APT50GR120JD30 |
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Hersteller: Microchip Technology
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