APT50GT120B2RDLG Microsemi Corporation
Hersteller: Microsemi CorporationDescription: IGBT NPT 1200V 106A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/215ns
Switching Energy: 3585µJ (on), 1910µJ (off)
Test Condition: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 240 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 106 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 694 W
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 31.79 EUR |
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Technische Details APT50GT120B2RDLG Microsemi Corporation
Description: IGBT NPT 1200V 106A, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/215ns, Switching Energy: 3585µJ (on), 1910µJ (off), Test Condition: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 240 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 106 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 694 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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APT50GT120B2RDLG | Hersteller : Microchip Technology |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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