
APT50M50L2LLG Microchip Technology
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Technische Details APT50M50L2LLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 89A; Idm: 356A; 893W; TO264MAX, Case: TO264MAX, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 89A, On-state resistance: 50mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 893W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 200nC, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 356A, Mounting: THT, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT50M50L2LLG | Hersteller : Microchip Technology |
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APT50M50L2LLG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 89A; Idm: 356A; 893W; TO264MAX Case: TO264MAX Drain-source voltage: 500V Drain current: 89A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 893W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 200nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 356A Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT50M50L2LLG | Hersteller : Microchip Technology |
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APT50M50L2LLG | Hersteller : Microchip / Microsemi |
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APT50M50L2LLG | Hersteller : Microchip Technology |
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APT50M50L2LLG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 89A; Idm: 356A; 893W; TO264MAX Case: TO264MAX Drain-source voltage: 500V Drain current: 89A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 893W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 200nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 356A Mounting: THT |
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