APT75GN120B2G MICROCHIP TECHNOLOGY
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 99A; 833W; T-Max
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 99A
Power dissipation: 833W
Case: T-Max
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 425nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 101ns
Turn-off time: 925ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details APT75GN120B2G MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 99A; 833W; T-Max, Type of transistor: IGBT, Technology: Field Stop, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Collector current: 99A, Power dissipation: 833W, Case: T-Max, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 225A, Mounting: THT, Gate charge: 425nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 101ns, Turn-off time: 925ns, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Preis |
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APT75GN120B2G | Hersteller : Microchip Technology |
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Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 99A; 833W; T-Max Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 99A Power dissipation: 833W Case: T-Max Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 425nC Kind of package: tube Turn-on time: 101ns Turn-off time: 925ns |
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