APT75GP120JDQ3 MICROCHIP TECHNOLOGY
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 57A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: POWER MOS 7®
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 543W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 59.8 EUR |
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Technische Details APT75GP120JDQ3 MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: PT, Current - Collector (Ic) (Max): 128 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 543 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1.25 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.04 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote APT75GP120JDQ3 nach Preis ab 59.23 EUR bis 73.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT75GP120JDQ3 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 57A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Technology: POWER MOS 7® Mechanical mounting: screw Power dissipation: 543W Kind of package: tube |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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APT75GP120JDQ3 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: PT Current - Collector (Ic) (Max): 128 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 543 W Current - Collector Cutoff (Max): 1.25 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.04 nF @ 25 V |
auf Bestellung 885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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APT75GP120JDQ3 | Hersteller : Microchip Technology |
IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 75 A SOT-227 |
auf Bestellung 2326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT75GP120JDQ3 | Hersteller : Microsemi |
IGBT 1200V 128A 543W SOT227 |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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APT75GP120JDQ3 Produktcode: 38098
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Vces: 1200 Vce: 3,3 Ic 25: 128 Ic 100: 57 Pd 25: 543 td(on)/td(off) 100-150 Grad: 20/165 |
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APT75GP120JDQ3 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 128A 543000mW 4-Pin SOT-227 Tube |
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APT75GP120JDQ3 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 128A 543W 4-Pin SOT-227 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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APT75GP120JDQ3 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 128A 543W 4-Pin SOT-227 Tube |
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| APT75GP120JDQ3 | Hersteller : MICROSEMI |
APT75GP120JDQ3 APT75GP120 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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