APT75GT120JRDQ3 Microsemi
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Technische Details APT75GT120JRDQ3 Microsemi
Description: IGBT MOD 1200V 97A 480W ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: ISOTOP®, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 97 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 480 W, Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT75GT120JRDQ3 Produktcode: 47971
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 Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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APT75GT120JRDQ3 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 97A 480mW 4-Pin SOT-227 Tube |
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| APT75GT120JRDQ3 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B Type of module: IGBT Case: SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: NPT; POWER MOS 7® Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 57A Pulsed collector current: 300A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APT75GT120JRDQ3 | Hersteller : MICROSEMI |
ISOTOP/Thunderbolt IGBT APT75GT120 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT75GT120JRDQ3 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT MOD 1200V 97A 480W ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: ISOTOP® IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 97 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 480 W Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1 nF @ 25 V |
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| APT75GT120JRDQ3 | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B Type of module: IGBT Case: SOT227B Max. off-state voltage: 1.2kV Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: NPT; POWER MOS 7® Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 57A Pulsed collector current: 300A |
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