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Technische Details APT75GT120JU2 Microchip Technology
Description: IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227, Packaging: Bulk, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 416 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.34 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote APT75GT120JU2 nach Preis ab 45.36 EUR bis 54.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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APT75GT120JU2 | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227Packaging: Bulk Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 416 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.34 nF @ 25 V |
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| APT75GT120JU2 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 416000mW 4-Pin SOT-227 Tube |
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| APT75GT120JU2 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
APT75GT120JU2 IGBT modules |
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