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APT80GA60LD40

APT80GA60LD40 Microchip Technology

APT102GA60B2_L_C-2474610.pdf Hersteller: Microchip Technology
IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 80 A TO-264
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Technische Details APT80GA60LD40 Microchip Technology

Description: IGBT PT 600V 143A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 22 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A, Supplier Device Package: TO-264, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/158ns, Switching Energy: 840µJ (on), 751µJ (off), Test Condition: 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 230 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 143 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 625 W.

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APT80GA60LD40 APT80GA60LD40 Hersteller : Microchip Technology 123667-apt80ga60ld40-datasheet Description: IGBT PT 600V 143A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A
Supplier Device Package: TO-264
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/158ns
Switching Energy: 840µJ (on), 751µJ (off)
Test Condition: 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 143 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 625 W
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APT80GA60LD40 APT80GA60LD40 Hersteller : Microchip Technology apt80ga60ld40_d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 143A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
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APT80GA60LD40 Hersteller : MICROSEMI 123667-apt80ga60ld40-datasheet TO-264/143 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT APT80GA60
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