APTDC20H601G Microsemi Corporation
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 20A SP1
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Supplier Device Package: SP1
Technology: Silicon Carbide Schottky
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP1
Packaging: Bulk
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Technische Details APTDC20H601G Microsemi Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 20A SP1, Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Average Rectified (Io): 20 A, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Supplier Device Package: SP1, Technology: Silicon Carbide Schottky, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Diode Type: Single Phase, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SP1, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| APTDC20H601G | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| APTDC20H601G |
Hersteller: Microchip / Microsemi
Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC
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