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APTGL60DDA120T3G

APTGL60DDA120T3G Microchip Technology


1807639-aptgl60dda120t3g-rev1-pdf.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 280W 16-Pin Case SP-3 Tube
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Technische Details APTGL60DDA120T3G Microchip Technology

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper x2,NTC thermistor, Case: SP3, Topology: boost chopper x2; NTC thermistor, Technology: Field Stop; Trench, Collector current: 60A, Pulsed collector current: 100A, Power dissipation: 280W, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
APTGL60DDA120T3G Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) APTGL60DDA120T3G.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper x2,NTC thermistor
Case: SP3
Topology: boost chopper x2; NTC thermistor
Technology: Field Stop; Trench
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 280W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APTGL60DDA120T3G APTGL60DDA120T3G Hersteller : Microchip Technology 7639-aptgl60dda120t3g-datasheet Description: IGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3
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APTGL60DDA120T3G Hersteller : Microchip Technology APTGL60DDA120T3G_Rev2-1593812.pdf IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP3F
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APTGL60DDA120T3G Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) APTGL60DDA120T3G.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper x2,NTC thermistor
Case: SP3
Topology: boost chopper x2; NTC thermistor
Technology: Field Stop; Trench
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 280W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
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