APTGL90H120T3G MICROSEMI
Hersteller: MICROSEMI
Full bridge Trench + Field Stop IGBT4 Power module APTGL90
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Technische Details APTGL90H120T3G MICROSEMI
Description: IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Power - Max: 385 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 110 A, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: SP3, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Configuration: Full Bridge, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SP3, Packaging: Bulk.
Weitere Produktangebote APTGL90H120T3G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| APTGL90H120T3G | Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3 Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Power - Max: 385 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 110 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: SP3 NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: Full Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SP3 Packaging: Bulk |
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| APTGL90H120T3G | Microsemi |
IGBT Modules Power Module - IGBT |
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| APTGL90H120T3G |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 385 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SP3
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP3
Packaging: Bulk
Description: IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 385 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SP3
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP3
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IGBT Modules Power Module - IGBT
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