APTGL90H120T3G Microchip Technology
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Technische Details APTGL90H120T3G Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3, Packaging: Bulk, Package / Case: SP3, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: SP3, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 110 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 385 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| APTGL90H120T3G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 APTGL90H120T3G IGBT modules |
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| APTGL90H120T3G | Hersteller : MICROSEMI |
Full bridge Trench + Field Stop IGBT4 Power module APTGL90 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APTGL90H120T3G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP3 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 110 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 385 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V |
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| APTGL90H120T3G | Hersteller : Microsemi |
IGBT Modules Power Module - IGBT |
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