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Technische Details APTGLQ75H65T1G Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 650V 150A 250W SP1, Packaging: Bulk, Package / Case: SP1, Mounting Type: Through Hole, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: SP1, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 250 W, Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.62 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote APTGLQ75H65T1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| APTGLQ75H65T1G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 APTGLQ75H65T1G IGBT modules |
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| APTGLQ75H65T1G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 650V 150A 250W SP1 Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Through Hole Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP1 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 250 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.62 nF @ 25 V |
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| APTGLQ75H65T1G | Hersteller : Microsemi |
IGBT Modules Power Module - IGBT |
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