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Technische Details APTGT100H60T3G Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 600V 150A 340W SP3, Packaging: Bulk, Package / Case: SP3, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: SP3, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 340 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.1 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote APTGT100H60T3G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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APTGT100H60T3G | Microchip / Microsemi |
 IGBT Modules DOR CC3006 |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APTGT100H60T3G |
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Hersteller: Microchip / Microsemi
IGBT Modules DOR CC3006
IGBT Modules DOR CC3006
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