APTGT200A120D3G Microchip Technology
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Technische Details APTGT200A120D3G Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 1200V 300A 1040W D3, Packaging: Bulk, Package / Case: D-3 Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: D3, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 300 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1040 W, Current - Collector Cutoff (Max): 6 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote APTGT200A120D3G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| APTGT200A120D3G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 APTGT200A120D3G IGBT modules |
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| APTGT200A120D3G | Hersteller : MICROSEMI |
D3/POWER MODULE - IGBT APTGT200 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APTGT200A120D3G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: IGBT MODULE 1200V 300A 1040W D3 Packaging: Bulk Package / Case: D-3 Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: D3 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 300 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1040 W Current - Collector Cutoff (Max): 6 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V |
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| APTGT200A120D3G | Hersteller : Microchip Technology |
IGBT Modules PM-IGBT-TFS-D3 |
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