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APTGT200DH60G Microchip Technology


11987769-aptgt200dh60g-rev1-pdf.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans IGBT Module N-CH 600V 290A 625W 8-Pin Case SP-6 Tube
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Technische Details APTGT200DH60G Microchip Technology

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 600V, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: asymmetrical bridge, Max. off-state voltage: 0.6kV, Collector current: 200A, Case: SP6C, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 400A, Technology: Field Stop; Trench, Mechanical mounting: screw, Anzahl je Verpackung: 7 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
APTGT200DH60G Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) 7769-aptgt200dh60g-datasheet Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 600V
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: asymmetrical bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SP6C
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 7 Stücke
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APTGT200DH60G Hersteller : Microchip Technology 7769-aptgt200dh60g-datasheet Description: IGBT MODULE 600V 290A 625W SP6
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APTGT200DH60G Hersteller : Microchip Technology 7769-aptgt200dh60g-datasheet IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP6C
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APTGT200DH60G Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) 7769-aptgt200dh60g-datasheet Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; asymmetrical bridge; Urmax: 600V
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: asymmetrical bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: SP6C
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
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