APTGT35A120T1G Microchip Technology
Hersteller: Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP1
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 208 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: SP1
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP1
Packaging: Bulk
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Technische Details APTGT35A120T1G Microchip Technology
Description: IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP1, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Power - Max: 208 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: SP1, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: Half Bridge, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SP1, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| APTGT35A120T1G | Microchip Technology |
IGBT Modules Trench Field Stop 1200V 55A 208W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 18 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| APTGT35A120T1G |
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Hersteller: Microchip Technology
IGBT Modules Trench Field Stop 1200V 55A 208W
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