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APTM100A23STG MICROSEMI

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Hersteller: MICROSEMI
SP4/36 A, 1000 V, 0.27 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APTM100A23
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Technische Details APTM100A23STG MICROSEMI

Category: Transistor modules, Description: Module; diode/transistor; 1kV; 27A; SP4; FASTON connectors,screw, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 27A, Case: SP4, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, On-state resistance: 0.27Ω, Pulsed drain current: 144A, Power dissipation: 694W, Technology: POWER MOS 7®, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw, Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes; NTC thermistor.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
APTM100A23STG Microchip Technology index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7995 Description: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
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APTM100A23STG Microchip Technology APTM100A23STG_Rev5.pdf MOSFET Modules PM-MOSFET-7-SP4
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APTM100A23STG MICROCHIP TECHNOLOGY index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7995 Category: Transistor modules
Description: Module; diode/transistor; 1kV; 27A; SP4; FASTON connectors,screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 27A
Case: SP4
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
On-state resistance: 0.27Ω
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 694W
Technology: POWER MOS 7®
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes; NTC thermistor
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Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
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MOSFET Modules PM-MOSFET-7-SP4
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Description: Module; diode/transistor; 1kV; 27A; SP4; FASTON connectors,screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 27A
Case: SP4
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
On-state resistance: 0.27Ω
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 694W
Technology: POWER MOS 7®
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes; NTC thermistor
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