APTM100A23STG Microchip Technology
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Technische Details APTM100A23STG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 1kV; 27A; SP4; FASTON connectors,screw, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: SP4, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Mechanical mounting: screw, On-state resistance: 0.27Ω, Gate-source voltage: ±30V, Drain current: 27A, Drain-source voltage: 1kV, Power dissipation: 694W, Pulsed drain current: 144A, Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes; NTC thermistor, Technology: POWER MOS 7®, Electrical mounting: FASTON connectors; screw.
Weitere Produktangebote APTM100A23STG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| APTM100A23STG | Hersteller : MICROSEMI |
 SP4/36 A, 1000 V, 0.27 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APTM100A23Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APTM100A23STG | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 |
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| APTM100A23STG | Hersteller : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules CC4007 |
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| APTM100A23STG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 1kV; 27A; SP4; FASTON connectors,screw Semiconductor structure: diode/transistor Case: SP4 Type of semiconductor module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw On-state resistance: 0.27Ω Gate-source voltage: ±30V Drain current: 27A Drain-source voltage: 1kV Power dissipation: 694W Pulsed drain current: 144A Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes; NTC thermistor Technology: POWER MOS 7® Electrical mounting: FASTON connectors; screw |
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