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APTM20AM08FTG

APTM20AM08FTG Microchip Technology


11518112-aptm20am08ftg-rev2-pdf.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 200V 208A 20-Pin Case SP-4 Tube
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Technische Details APTM20AM08FTG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 200V; 155A; SP4; Ugs: ±30V; Idm: 832A; 781W, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: SP4, On-state resistance: 10mΩ, Gate-source voltage: ±30V, Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor, Pulsed drain current: 832A, Power dissipation: 781W, Technology: FREDFET; POWER MOS 7®, Drain current: 155A, Drain-source voltage: 200V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
APTM20AM08FTG Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8112 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 200V; 155A; SP4; Ugs: ±30V; Idm: 832A; 781W
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SP4
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Pulsed drain current: 832A
Power dissipation: 781W
Technology: FREDFET; POWER MOS 7®
Drain current: 155A
Drain-source voltage: 200V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APTM20AM08FTG Hersteller : Microsemi Power Products Group index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8112 Description: MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4
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APTM20AM08FTG Hersteller : Microsemi APTM20AM08FTG-Rev3-1291647.pdf Discrete Semiconductor Modules Power Module - Mosfet
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APTM20AM08FTG Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8112 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 200V; 155A; SP4; Ugs: ±30V; Idm: 832A; 781W
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SP4
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Pulsed drain current: 832A
Power dissipation: 781W
Technology: FREDFET; POWER MOS 7®
Drain current: 155A
Drain-source voltage: 200V
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