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APTM50AM24SCG

APTM50AM24SCG Microchip Technology


13878154-aptm50am24scg-rev2-pdf.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 150A 7-Pin Case SP-6 Tube
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Technische Details APTM50AM24SCG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 500V; 110A; SP6C; Idm: 600A; 1.25kW, Case: SP6C, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Technology: POWER MOS 7®; SiC, Gate-source voltage: ±30V, Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes, Pulsed drain current: 600A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 110A, On-state resistance: 28mΩ, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Power dissipation: 1.25kW, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
APTM50AM24SCG Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8154 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 500V; 110A; SP6C; Idm: 600A; 1.25kW
Case: SP6C
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 7®; SiC
Gate-source voltage: ±30V
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes
Pulsed drain current: 600A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 110A
On-state resistance: 28mΩ
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Power dissipation: 1.25kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APTM50AM24SCG Hersteller : Microsemi Power Products Group index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8154 Description: MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6
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APTM50AM24SCG Hersteller : Microsemi APTM50AM24SCG-Rev4-602175.pdf Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC
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APTM50AM24SCG Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8154 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 500V; 110A; SP6C; Idm: 600A; 1.25kW
Case: SP6C
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 7®; SiC
Gate-source voltage: ±30V
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes
Pulsed drain current: 600A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 110A
On-state resistance: 28mΩ
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Power dissipation: 1.25kW
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