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APTM50AM38SCTG

APTM50AM38SCTG Microchip Technology


13918160-aptm50am38sctg-rev2-pdf.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 90A 20-Pin Case SP-4 Tube
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Technische Details APTM50AM38SCTG Microchip Technology

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 500V; 67A; SP4; Idm: 360A; 694W; screw, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 67A, Case: SP4, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, On-state resistance: 45mΩ, Pulsed drain current: 360A, Power dissipation: 694W, Technology: POWER MOS 7®; SiC, Gate-source voltage: ±30V, Mechanical mounting: screw, Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes; NTC thermistor, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
APTM50AM38SCTG Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8160 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 500V; 67A; SP4; Idm: 360A; 694W; screw
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 67A
Case: SP4
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 694W
Technology: POWER MOS 7®; SiC
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes; NTC thermistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APTM50AM38SCTG Hersteller : Microsemi Power Products Group index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8160 Description: MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
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APTM50AM38SCTG Hersteller : Microsemi APTM50AM38SCTG-Rev4-602179.pdf Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC
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APTM50AM38SCTG Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8160 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 500V; 67A; SP4; Idm: 360A; 694W; screw
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 67A
Case: SP4
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 694W
Technology: POWER MOS 7®; SiC
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes + parrallel diodes; NTC thermistor
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