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APTM50H14FT3G

APTM50H14FT3G Microchip Technology

High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SP3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 168mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3259pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
Power - Max: 208W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP3
Packaging: Bulk
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Technische Details APTM50H14FT3G Microchip Technology

Description: MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3, Part Status: Active, Supplier Device Package: SP3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 168mOhm @ 13A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3259pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A, Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Power - Max: 208W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SP3, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
APTM50H14FT3G MICROSEMI High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf SP3/26 A, 500 V, 0.168 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APTM50
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APTM50H14FT3G APTM50H14FT3G Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Discrete Semiconductor Modules CC3032
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