APTMC120AM08CD3AG Microsemi Power Products Group
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Technische Details APTMC120AM08CD3AG Microsemi Power Products Group
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 190A; D3; Idm: 550A; 1.1kW; SiC, Power dissipation: 1.1kW, Case: D3, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 190A, On-state resistance: 10mΩ, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, Topology: MOSFET half-bridge, Pulsed drain current: 550A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| APTMC120AM08CD3AG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 190A; D3; Idm: 550A; 1.1kW; SiC Power dissipation: 1.1kW Case: D3 Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 190A On-state resistance: 10mΩ Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 550A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| APTMC120AM08CD3AG | Hersteller : Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| APTMC120AM08CD3AG | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 190A; D3; Idm: 550A; 1.1kW; SiC Power dissipation: 1.1kW Case: D3 Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 190A On-state resistance: 10mΩ Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 550A |
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