APTMC120AM08CD3AG

APTMC120AM08CD3AG Microsemi Power Products Group


125295-aptmc120am08cd3ag-rev2-pdf Hersteller: Microsemi Power Products Group
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
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Technische Details APTMC120AM08CD3AG Microsemi Power Products Group

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 190A; D3; Idm: 550A; 1.1kW; SiC, Power dissipation: 1.1kW, Case: D3, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, Topology: MOSFET half-bridge, Pulsed drain current: 550A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 190A, On-state resistance: 10mΩ, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
APTMC120AM08CD3AG Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) 125295-aptmc120am08cd3ag-rev2-pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 190A; D3; Idm: 550A; 1.1kW; SiC
Power dissipation: 1.1kW
Case: D3
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: SiC
Topology: MOSFET half-bridge
Pulsed drain current: 550A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 190A
On-state resistance: 10mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APTMC120AM08CD3AG Hersteller : Microsemi APTMC120AM08CD3AG-Rev4-597271.pdf Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC
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APTMC120AM08CD3AG Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) 125295-aptmc120am08cd3ag-rev2-pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 190A; D3; Idm: 550A; 1.1kW; SiC
Power dissipation: 1.1kW
Case: D3
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: SiC
Topology: MOSFET half-bridge
Pulsed drain current: 550A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 190A
On-state resistance: 10mΩ
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